次氧化鋅是一種半導體催化劑的電子結構，在光照射下，當一個具有一定能量的光子或者具有超過這個半導體帶隙能量Eg的光子射入半導體時，一個電子從價帶NB激發(fā)到導帶CB，而留下了一個空穴。激發(fā)態(tài)的導帶電子和價帶空穴能夠重新結合消除輸入的能量和熱，電子在材料的表面態(tài)被捕捉，價態(tài)電子躍遷到導帶，價帶的空穴把周圍環(huán)境中的羥基電子搶奪過來使羥基變成自由基，作為強氧化劑而完成對有機物(或含氯)的降解，將病菌和病毒殺死。
次氧化鋅的制備方法分為三類：即直接法(亦稱美國法)、間接法(亦稱法國法)和濕化學法。許多市售氧化鋅多為直接法或間接法產品，粒度為微米級，比表面積較小，這些性質大大制約了次氧化鋅的應用領域及其在制品中的性能。云南化工冶金研究所采用濕化學法(NPP-法)制備納米級活性氧化鋅，可用各種含鋅物料為原料，采用酸浸浸出鋅，經過多次凈化除去原料中的雜質，然后沉淀獲得堿式碳酸鋅， 后焙解獲得活性氧化鋅。
